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瑞彩祥云

作者:基本半導體時間:2019-08-20來源:電子産品世界收藏

挑戰驕陽火焰山,何須芭蕉借又還。

本文引用地址:/article/201908/403917.htm

真金質,不懼火煉過樓蘭。

——鄭廣州

國創中心副總經理

8月14日,國家新能源汽車技術創新中心(簡稱“國創中心”)邀請等13家国内整车和半导体企业的专家,实地开展“中国车规半导体首批测试验证项目吐鲁番高温试验”活动,并举行了车规半导体测试验证项目高温测试技术研討會。

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自2019年7月底開始,國創中心攜搭載了國産自主矽基IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、碳化矽二極管和碳化矽MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)的4輛試驗車,在吐魯番進行爲期一個月的“極限高溫”測試項目,這也是國産車規半導體搭載驗證的試驗項目之一。

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单车累计6000公里的高温试验,以验证在高温真实车况下,国产自主车规半导体的性能和可靠性表现。通过反复验证国产车规半导体在各种极端情况下的质量状况和适应能力,并通过对标试验,与国外竞品进行全项目对比分析,发现问题并实施改进措施,为最终助推国产自主车规半导体上车应用达成最高的安全保障。在测试同期举办的研討會上,与会专家对此次车规半导体测试验证项目给予高度评价,共同探讨半导体行业和汽车行业的产业合作模式。

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爲了推動我國汽車産業可持續高質量發展,保障我國建設世界汽車強國目標的盡早實現,培育和提升國産自主車規半導體企業的技術研發和質量控制能力,助推國産自主車規半導體上車應用,國創中心秉承國家戰略要求,整合行業資源,聯合半導體行業的合作夥伴和汽車行業的專家共同開展“國産自主車規半導體測試認證”項目。下一步,國創中心還將開展國産自主車規半導體器件的試驗室測試、對標測試及整車搭載的高寒測試。

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在此次測試中,試驗車搭載了自主研發的碳化矽功率器件。作为中国第三代半導體行业领军企业、深圳第三代半導體研究院发起单位之一,旗下碳化矽器件产业链覆盖了外延制备、芯片設計、制造工艺、封装测试、驱动应用等环节。基本半導體先后推出650V/4A~40A、1200V/5A~50A、1700V/5A~20A的全电流电压等级碳化矽二极管,通过工业级可靠性测试的1200V碳化矽MOSFET,以及车规级全碳化矽功率模块等系列产品,性能对标国际一流半导体厂商的最新产品。

其中,高性能1200V 碳化矽MOSFET采用了平面栅碳化矽工艺,具有短路耐受时间长、雪崩耐量高、反向击穿电压高和导通电阻低等特点,已小批量生产并广泛应用在电机驱动器、開關電源、光伏逆變器和车载充电等领域;用于电动汽车逆變器、对标特斯拉Model 3所采用器件的车规级全碳化矽MOSFET模块已完成工程样品开发,将联合国内主流车厂开展测试。同时,基本半導體年内还与广州广电计量检测股份有限公司达成战略合作,加快推出首款符合AEC-Q101检测标准的碳化矽肖特基二极管。

未来,基本半導體将继续打造高质量的国产车规级碳化矽功率器件,积极参与国内车规半导体标准体系和测试认证体系的建设,致力实现车规半导体的自主可控、国产替代。



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