新聞中心

瑞彩祥云

作者:時間:2019-09-06來源:中關村在線收藏

據外媒報道,美國子公司宣布推出一種新的(Storage Class Memory)解决方案:,该技术是基于创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC,將爲數據中心和企業存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案,樣品預計將于下月送樣檢測,或將于2020年量産。

本文引用地址:/article/201909/404512.htm

表示,这项技术与英特尔3D Xpoint和三星Z-NAND一样,属于持久性存儲器,不仅具有NAND Flash容量存储的能力,同时性能介于DRAM和NAND之间。虽然能像DRAM易失性存储解决方案提供应用程序要求苛刻的访问速度,但达到这种性能的的成本很高。DRAM单位成本限制了其容量的扩展性,新的SCM持久性存儲器解决了密度、成本、性能等问题。

它是介于DRAM和NAND閃存之間的産品,與傳統的DRAM相比,具有更快的速度、更低的延遲和更高的存儲容量。XL-Flash最初將以SSD産品爲部署,但未來也將擴展到DRAM産品線上。 



關鍵詞: 東芝 存儲器 XL-Flash

評論


相關推薦

技術專區

關閉