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瑞彩祥云

作者:時間:2019-09-29來源:大半導體産業網收藏

新華社消息,在合肥召開的2019世界制造業大會上,總投資約1500億元的內存芯片制造项目宣布投产,其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相,一期設計产能每月12万片晶圆。

本文引用地址:/article/201909/405401.htm

該項目2016年5月由合肥市政府旗下合肥産投與兆易創新共同出資組建。目前,項目已獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標准化研究院的量産良率檢測報告。

董事長兼首席執行官朱一明介紹,投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证,今年底正式交付,另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

長鑫存儲副总裁平尔萱日前在另一场合表示,公司已经成功把从奇梦达获得的46纳米堆栈式DRAM平稳过度到10纳米级别,公司甚至在探索HKMG、EUV甚至GAA等新技术和新工艺在DRAM上的實現,力争未来成为存儲领域的领先者。



關鍵詞: 長鑫,存儲

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